Оперативная память Samsung DDR 266 МГц DIMM CL2.5 M312L5128MT0-CB0
Оперативная память Samsung DDR 266 МГц DIMM CL2.5 M312L5128MT0-CB0
- тип:DDR
- форм-фактор:DIMM
- количество модулей в комплекте:1 шт.
- объем одного модуля:4 ГБ
- тактовая частота:266 МГц
Характеристики
- тип DDR
- форм-фактор DIMM
- количество модулей в комплекте 1 шт.
- объем одного модуля 4 ГБ
- тактовая частота 266 МГц
- пропускная способность PC2100
- cl 2.5
- trcd 3
- trp 3
- напряжение питания 2.5 В
- количество контактов 184
- особенности ECC, Registered
Отзывы
Оставить отзыв о товаре
Обратите внимание! Boxberry является информационным посредником (ст. 1253.1 ГК РФ). Если на нашем сайте были нарушены ваши
интеллектуальные права, заполните форму обратной связи с прикреплением ссылок на страницы.
Реклама. Информация о рекламодателе по ссылке на карточке.