Твердотельный накопитель Samsung 1 ТБ M.2 MZVL21T0HCLR-00B00
- производитель: Samsung
- емкость: 1 ТБ
- форм-фактор: M.2 2280
- назначение: для ноутбука и настольного компьютера, для сервера
- разъем: M.2
Характеристики
производитель
Samsung
емкость
1 ТБ
форм-фактор
M.2 2280
назначение
для ноутбука и настольного компьютера, для сервера
разъем
M.2
тип флэш-памяти
TLC 3D NAND
контроллер
Samsung Elpis
тип разъема m.2
2280, B&M
тип pci-e
PCI-E 4.0 x4
макс. скорость интерфейса
1400 МБ/с
объем буфера
1024 МБ
скорость чтения
7000 МБ/с
скорость записи
5100 МБ/с
скорость случайной записи (блоки по 4 кб)
850000 IOPS
время наработки на отказ
1500000 ч
суммарное число записываемых байтов (tbw)
600 ТБ
поддержка технологий
NVMe, Шифрование данных
макс. рабочая температура
70 °C
потребляемая мощность
5.8 Вт
высота
2 мм
длина
80 мм
ширина
22 мм
Отзывы
Оставить отзыв о товаре
Твердотельный накопитель Samsung 1 ТБ M.2 MZVL21T0HCLR-00B00
Характеристики